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IRF1404功率场效应管概述及特性
文章来源: 更新时间:2011/3/12 16:23:00
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IRF1404 概述

IR的HEXFET功率场效应管IRF1404采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF1404这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF1404成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的IRF1404普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF1404得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF1404的通孔安装版,适合较低端的应用。

IRF1404 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF1404S)
  • 低端通孔安装(IRF1404L)
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 车工级产品
  • 无铅环保

IRF1404 参数
IRF1404 基本参数
VDSS   40 V
ID @25℃   162 A
RDS(on) Max   4.0 mΩ
IRF1404 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   160 nC
IRF1404 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

引脚布局

 
 
 
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