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高效HIT太阳能光伏电池设计
文章来源: 更新时间:2013/3/5 10:42:00
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HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异(膜厚5~10nm)质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面侧的i/n型a-Si膜(膜厚5~10nm)夹住单结晶Si片的来构成的.

 

图一.HIT太阳能光伏电池结构

HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主;在硅基板上沉积高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜,表层再沉积透明导电膜,背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构,可以降低透明导电氧化层(TCO)和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率,而增强n型c-Si的光吸收率。

2012042509024490.jpg

HIT太阳能光伏电池在技术上的优势

由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结,所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度(~900℃)相比较,大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征,减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤,对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的,具有业界领先的高转换效率(研究室水平为23%,量产水平为20%),即使在高温下,转换效率也极少降低,利用双面单元来提高发电量。

 
 
 
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