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电源开关控制电路
文章来源: 更新时间:2013/4/23 13:56:00
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 前几天发过一个电源开关控制电路的原理内容,现在以下图的LVDS power control电路进行深入分析学习,在处理电子精密时序问题时可以用得上。

R196与C167组成RC 积分电路,装前端输入的矩形波转变为有上下边治的波形。

image

取R200,C161,C163为输入变量,Trising ,Tfalling,Vmax作为输出变量。

C163放电阻看输出变量是否有规律

 

R200 C161 C163 Trising(ms) Tfalling(s) Vmax(v)
100k 1uf 1k 3.186 0.912 12.4
100k 1uf 2k 3.151 1.13 12.4
100k 1uf 2.7k 3.131 1.3 12.4
100k 1uf 3.9k 3.12 1.53 12.4
100k 1uf 4.7k 3.156 1.66 12.4
100k 1uf 10k 3.1 2.78 12.4
100k 1uf 1m 3.166 8.5 12.4
100k 1uf nc 3.18 8.52 12.4

 

可以看出,只有Tfalling 与MOS后端C163有关,R增大,Tfalling增大

C163放电容看输出变量是否有规律

 

R200 C161 C163(uf) Trising(ms) Tfalling(s) Vmax(v)
100k 1uf 0.47 3.065 8.52 12.3
100k 1uf 1 3.178 8.5 12.3
100k 1uf 2.2 17.72 7.66 13.1
100k 1uf 4.7 16.57 1.95 13.2
100k 1uf 10 17 1.92 13.1

 

可以看出,当电容小的时候,因只对高频有作用,不影响Trising,Tfalling。

当电容大的时候,会加大Surge 电压Vmax ,Trising也会变大,且因其ESR变大,将使Tfalling变小。

C161变化或R200变化看输出变量是否有规律

 

R200 C161 C163(Ohm) Trising(ms) Tfalling(s) Vmax(v)
100k 1uf 1k 13.7 1.32 13.3
100k 2.2uf 1k 13.8 1.37 13.1
100k 4.7uf 1k 14.4 1.37 13.1
100k 10uf 1k 15 1.35 13.1

 

R200 C161 C163(Ohm) Trising(ms) Tfalling(s) Vmax(v)
NC 1uf 1k 17.2 1.38 13.2
200k 1uf 1k 15.3 1.36 13.1
150k 1uf 1k 12.8 1.37 13.1
100k 1uf 1k 13.7 1.32 13.3
75k 1uf 1k 12.6 1.36 13.1
47k 1uf 1k 12.8 1.38 13.1

当C161变化或R200变化时,因为T=2PI*R*C,Trising时间增大,但不明显。在实际应用中需要两个同时变化反复实验,得到一组理想值。

image

R113功能:当Q114导通时,B极电压恒定0.7V,增加电阻可有效防止控制端由于电压强制拉低导致端口损坏。

Q104:利用三极管导通特性,Q105:场效应管导通特性导通

R111:开关管导通瞬间限流作用

C112:利用电容充放电性能,降低导通瞬间电流功能

 
 
 
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