Linear推出IEEE 802.3bt 受电设备 (PD) 接口控制器 LT4295，该器件适用于要求接受高达 71W 功率的应用。下一代以太网供电 (PoE) 标准 IEEE 802.3bt 使制造商能够超越 2009 IEEE 802.3at 标准分配的 25.5W 功率。凌力尔特准备率先提供符合下一代 IEEE 标准的产品。这个新标准又称为 PoE++ 或 4PPoE，提高了功率预算以实现新型应用和功能，同时支持 10Gb 以太网 (10GBASE-T)，并保持与较旧版本 IEEE 设备的向后兼容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求，支持新宣布的功能，包括所有新增加的 PD 类别 (5、6、7 和 8)、新增加的 PD 类型 (3 类和 4 类) 以及 5 事件分级。
LT4295 是一款单特征 802.3bt PD 控制器，集成了一个隔离式开关稳压器控制器，提供辅助电源支持，能够在采用高效率正向拓扑和无光耦合反激式拓扑时同步运行。由于集成度很高，所以减少了所需组件和所需占用的电路板空间，从而简化了前端 PD 设计，使 LT4295 仅凭自身这一个 IC，就能够高效地向PD 负载供电。与集成功率 MOSFET 的传统 PD 控制器不同，LT4295 控制一个外部 MOSFET，以显著地降低 PD 产生的总体热量，并最大限度提高电源效率，由于 802.3bt 的功率水平更高，因此这一点尤其重要。一个外部 MOSFET 这种架构使用户能够按照应用要求选择 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的标准实现方案一般选用 30mΩ RDS(ON) MOSFET。
LT4295 有工业和汽车温度级版本，分别支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度范围。LT4295 的千片批购价为每片 2.75 美元，已开始生产供货。LT4295 为包括 LT4276 和 LT4275 在内的凌力尔特现有 PoE+ PD 控制器提供了一条升级途径。为了进一步最大限度提高可用功率，减少 PD 产生的热量，可使用 LT4321 理想二极管桥式控制器。
性能概要： LT4295
· 具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受电设备 (PD)
· 外部热插拔 N 沟道 MOSFET 用于实现最低功耗和最高系统效率
· 支持高达 71W 的 PD
· 5 事件分级检测
· 出色的浪涌保护 (100V 绝对最大值)
· 宽结温范围 (–40°C 至 125°C)
· 采用 LT4321 理想二极管桥时提供 >94% 的端到端效率
· 无光耦合反激模式运行
· 辅助电源支持低至 9V
· 采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装 |
