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内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案
文章来源: 更新时间:2017/3/2 12:08:00
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典型应用电路:

输入电源为锂电池(3.2vVin4.2v

1.驱动负载150mAIo500mA

1TP8350典型应用电路

   

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

 

建议各器件参数L=47uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF电解电容(或20uF胆电容串联0.5欧姆电阻)和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下,效率高于80%

2TP8356典型应用电路

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

建议各器件参数L=100uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF电容(不分电解电容、胆电容)串联0.5欧姆电阻和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下,效率高于80%

2  驱动负载Io<150mA

       TP8350TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。

注意:TP8350TP8356应用中陶瓷电容0.1uF~1uF必须接上,并且靠近芯片输出端。

 
 
 
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