作者： Brian Curbo，安森美半导体
同步降压动力总成设计是当今最普遍使用的转换器拓扑结构之一，但为中低压同步降压转换器选择合适 的动力总成元件可能是一项艰巨的任务。设计人员必须从一系列看似无限的器件中选择功率MOSFET，简单的质量因数(FOM)比较通常不会有最佳的转换能 效或成本。
要纵观全局，如果通过常规方法尝试，必须使用实际的电路中损耗和能效数据进行比较，这是一个繁琐和耗时的过程。如果通过手工计算来指定无源元 件，如输出滤波电感、电容器和缓冲器，也会是耗时费力的。考虑到工程师们所面临的这些挑战，安森美半导体开发了一种新型同步降压动力总成设计工具。
完整的动力总成设计和分析
新的同步降压动力总成设计工具提供完整的动力总成系统的设计和分析，包括功率MOSFET、输出电感、输出电容和可选的缓冲，所以您可以在更短的时 间完成一个方案。它的工作原理就像电源设计工具Power Supply WebDesigner一样。在几分钟内完成一个设计，只需输入您的系统要求，点击“自动完成”，或在所有的设计步骤中使用指导设计来微调，从损耗和能效 分析到原理图、物料单(BOM)和设计报告。具备有用的“信息注释”，无需参考应用注释。建基于我们用于分立元件分析的FETBench ，支持单、双级 对称和双级不对称（功率级）配置的达250V BVDSS的MOSFET。至于最终的灵活性方面，您仍然可以结合任何您想用的控制器或驱动器来使用。
快速“自动设计”或分步微调
同步降压动力总成工具通过指导的器件选择，自动搜索MOSFET的综合数据库，并推荐满足您的系统要求的高边和低边开关。用户可以从合适器件的预排 序列表中任选另一个FET。可以简单和迅速地在所选表格的右边对用于不同的高边和低边FET的参数数据、损耗和结温进行比较。完成动力总成，推荐和选择一 个真正的电感器编码，并根据系统要求指定输出电容器。最后，还可以指定用于开关节点的R-C缓冲器。
易于对比MOSFET数据和性能
新的同步降压型动力总成设计工具拥有提高的精度，通过MOSFET的损耗计算，包括迭代的Rds(on)对比温度的影响和可选的定制热阻抗来调整您 的印刷电路板设计。可以输入您的首选控制器/驱动器数据，如独立的高低边门极驱动电压、源/汲电阻、延迟时间和门阻尼电阻以实现更高的精度。
此工具提供更详细的损耗和能效分析，如产生MOSFET损耗的明细（传导、开关、反向恢复等）。动力总成总损耗可按各元件分析，并为各种不同的输入和负载条件提供损耗和能效图。
MOSFET损耗明细
详细的损耗和能效分析
该工具的开发结合了安森美半导体工程师几十年的电源诀窍。通过内置所有这些功能和灵活性，您将实现用更少的时间和精力完成您的动力总成方案。 |
