三菱电机株式会社作为为降低太阳能发电和EV用充电器等电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献的功率半导体新产品，对于采用了SiC※1耐压1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型将于2019年6月开始提供样本，从2020年1月起依次发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕张举行),“PCIM Europe2019展”（5月7～9日于德国纽伦堡举行）,“PCIM※1 Asia2019展”（6月26～28日于中华人民共和国上海举行）上展出。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
新产品的特点
1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献
・通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗※3
・实现高速开关，为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si（硅）二极管相比
2．通过采用JBS结构，提高可靠性
・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3．由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途
・除了通常的TO-247封装外，还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装
除民用品外还可对应工业等各种各样的用途
・产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品（BD20120SJ），也可对应车载用途
※5 Automotive Electronics Council：车载电子零部件质量规格
发售概要
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产品名
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型号
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封装
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规格
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开始提供
样品月份
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发售日期
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1200V
SiC-SBD
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BD10120P
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TO-247-2
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1200V/10A
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2019年
6月
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2020年
1月
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BD20120P
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1200V/20A
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BD10120S
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TO-247
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1200V/10A
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BD20120S
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1200V/20A
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BD20120SJ
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1200V/20A
AEC-Q101
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2020年
4月
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销售目标
近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。
在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。
本产品的开发得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
主要规格
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型号
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BD10120S
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BD10120P
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BD20120S（J）
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BD20120P
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规格
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1200V／10A
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1200V／20A
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耐浪涌电流
（绝对最大额定值）※7
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95A
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155A
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正向电压（标准）Tj=25℃
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1.35V
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封装
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TO-247
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TO-247-2
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TO-247
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TO-247-2
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封装尺寸
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15.9 × 41.0 × 5.0mm
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※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的产品阵容
粗框内为本次的新产品。
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产品名
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型号
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规格
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封装
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供应状况
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电压［V］
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电流［A］
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SiC-SBD
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BD10120S
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1200
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10
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TO-247
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自2019年6月起
开始提供样品
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BD10120P
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TO-247-2
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BD20120S
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20
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TO-247
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BD20120SJ
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TO-247
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BD20120P
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TO-247-2
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BD20060S
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600
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TO-247
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正在提供样品
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BD20060A
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TO-263S
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BD20060T
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TO-220FP-2
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已批量生产
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