英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。
在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封装具有较高的爬电距离。TO-247的4引脚封装(标准封装:IKZA,Plus封装:IKY)在提高性能方面表现出众,因为它不仅能降低开关损耗,还提供了额外的优势,如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性,TRENCHSTOP IGBT7 H7简化了设计,最大限度减少了并联器件的需求。
此外,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能,可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试,特别是HV-H3TRB,符合工业应用标准,因此非常适合户外应用。IGBT专为满足环保以及高效能源应用的需求而设计,相较于前几代产品有显著改进。因此,TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太阳能和储能系统等中的NPC1拓扑的理想补充。 |