该新品是一款三相中压高速栅极驱动IC，专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管或IGBT而设计，适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案。

GHD3440具备优秀的驱动能力和快速响应能力，可在短时间内对输入信号或负载变化做出准确的响应，有助于提高电机运行效率；同时可有效放大电路控制信号，实现对电机高精度、高速度、低功耗控制，为用户提供更好的开发使用体验。

GHD3440可提供TSSOP20及QFN24封装，有助于节省板上空间占用，降低材料成本，提高系统可靠性。

GHD3440产品特性

• 支持5.5V~18V输入电压范围，兼容3.3V/5V输入逻辑，悬浮偏移电压+200V；

• 内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；

• 内置基于输入信号的直通防止和250ns典型死区时间保护电路，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件；

• 内嵌输入、输出下拉电阻，以稳定输出信号，提升驱动能力；

• 具备高DV/DT噪声抑制能力，有效保障性能，防止对周边设备产生负面影响；

• 峰值输出电流0.8A@12V，3.3nF负载上升时间90ns，峰值输入电流1.0A@12V，3.3nF负载下降时间60ns，有效提高功率器件的开关速度，降低开关损耗；

• 工作温度范围-40~+105℃，可保障在严苛工作环境下的稳定运行。