二极管反向恢复机理（Reverse Recovery Mechanism）是指当一个二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，二极管内存储的少数载流子（如电子和空穴）会导致反向电流的产生，直到这些载流子被完全移除。这个过程称为反向恢复时间（reverse recovery time, trr）。
　　反向恢复机理的详细过程：
　　正向导通状态：
　　在二极管处于正向偏置时，电流通过二极管，二极管内部的PN结区域会充满正向流动的电子和空穴。
　　正向电流通过时，二极管内部的少数载流子（电子和空穴）被注入到PN结区域，导致PN结的空穴区和电子区形成“载流子存储区”。
　　反向切换：
　　当外加电压从正向变为反向时，二极管应该停止导电。
　　但是，由于二极管内部的载流子（电子和空穴）并不会立即消失，它们会继续流动一段时间，导致短暂的反向电流。
　　反向恢复期：
　　在反向电压施加后，二极管内的电子和空穴会被慢慢地去除，这个过程需要一定的时间，称为反向恢复时间（trr）。
　　在这个期间，二极管内会有一个反向电流流过，叫做反向恢复电流。这个反向电流会持续一段时间，直到存储的载流子完全消散。
　　反向电流和恢复过程：
　　在反向恢复过程中，电流的大小取决于存储的载流子数量以及二极管的特性。通常，这种反向电流会迅速下降，直到恢复到零电流状态。
　　反向恢复时间越短，二极管的反向恢复特性越好，适用于高速开关应用。
　　反向恢复的影响：
　　开关损耗：在开关电源、逆变器等应用中，二极管的反向恢复电流会引起一定的能量损耗，尤其是在高频开关过程中，这种损耗会显著增加。
　　产生电磁干扰（EMI）：反向恢复电流的突变可能会产生高频的电磁干扰，需要额外的滤波或抑制措施。
　　二极管选择：在高频应用中，为了减少反向恢复时间，通常选择具有快速恢复特性的二极管（如肖特基二极管）或者使用专门的快恢复二极管（Fast Recovery Diode），这些二极管设计上能够减少反向恢复电流和恢复时间。
　　反向恢复时间的影响因素：
　　温度：随着温度的升高，反向恢复时间通常会增加，因为半导体材料的载流子寿命在高温下会变长。
　　电流大小：较大的正向电流通常会导致较大的反向恢复电流和更长的恢复时间。
　　二极管的类型：不同类型的二极管（如普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管）具有不同的反向恢复特性，快恢复二极管比普通二极管具有较短的反向恢复时间。