英特尔晶圆代工近日取得一项新的里程碑，成功打造出全球首款也是最薄的氮化镓（GaN）芯片，厚度仅为19微米（μm）。

英特尔凭借其最新成果——全球最薄氮化镓芯片，在紧凑的空间内实现了更高的功率、速度和效率。英特尔晶圆代工团队展示了这款采用300毫米氮化镓硅基晶圆制造的、厚度仅为19微米的首款氮化镓芯片，它将为下一代半导体技术提供指出。

研究人员已成功将GaN晶体管与传统的硅基数字电路集成到单个芯片上，从而无需单独的配套芯片，即可将复杂的计算功能直接构建到功率芯片中。

严格测试证实，这项新型GaN芯片技术极具潜力，能够满足实际部署所需的可靠性标准，从而为从数据中心到下一代5G和6G通信等应用带来更小巧、更高效的电子设备。

该技术在IEEE国际电子器件会议（IEDM）2025上发布，旨在解决现代计算领域最紧迫的挑战之一：如何在日益紧凑的空间内提供更强大的性能、更快的速度和更高的效率。为了满足图形处理器、服务器和无线网络对更高性能的需求，英特尔晶圆代工团队开发了一种超薄氮化镓芯片——其基底硅的厚度仅为19微米，约为人类头发丝宽度的五分之一——以及业界首个完全单片集成的芯片上数字控制电路，所有这些都采用单一的集成制造工艺完成。

这项创新源于现代电子领域的一个根本性难题：如何在更小的空间内集成更强大的功能，同时还要处理更高的功率负载和更快的数据传输速度。传统的硅基技术正接近其物理极限，业界一直在寻求氮化镓等替代材料来弥补这一差距。英特尔晶圆代工将超薄GaN芯片与片上数字控制电路相结合，无需单独的配套芯片，并减少了组件间信号传输过程中的能量损耗。全面的可靠性测试进一步证明，该平台有望成为实际产品的候选方案。

这项技术为多个行业的切实改进打开了大门。在数据中心，GaN芯片的开关速度更快，能耗更低。这将使电压调节器能够做得更小、更高效，并更靠近处理器，从而减少长距离电源传输路径上的电阻损耗；在无线基础设施领域，GaN晶体管的高频性能使其成为射频（RF）前端技术的理想选择，例如未来十年正在开发的5G和6G系统中使用的基站。GaN能够在超过200GHz的频率下高效运行，这使其非常适合下一代网络所依赖的厘米波和毫米波频段。除了网络应用之外，GaN的这些特性也适用于雷达系统、卫星通信以及需要快速电开关来调制光信号的光子应用。

与传统的基于CMOS的硅芯片相比，GaN芯片具有硅芯片在其物理极限下无法比拟的诸多优势。GaN能够提供更高的功率密度，从而在更小的空间内实现更强大的系统——这对于空间受限的应用至关重要，例如数据中心、电动汽车（本质上是移动数据中心）和无线基站的负载点供电。硅芯片在结温高于约150°C时会变得不稳定，这限制了其在高温环境中的应用。

GaN的更宽带隙特性使其能够在更高的温度下稳定运行，从而降低开关过程中的功率损耗，并实现更高效的散热管理，进而减小冷却系统的尺寸和成本。此外，英特尔晶圆代工采用标准的300毫米硅晶圆进行氮化镓（GaN）生产，与现有的硅基制造基础设施兼容，有望减少对重大新投资的需求。