新器件进一步提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件，而出现脉冲电流(IDP)时，可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。
该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。
为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。
该款新器件的批量生产和出货即日启动。
应用场合
- 数据中心（服务器电源等）
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特点
- RDS(ON) × Qgd降低，支持开关电源提高效率
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主要规格
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(@Ta=25oC)
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产品型号
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封装
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绝对最大额定值
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漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值
@VGS=10 V
(Ω)
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总栅极电荷
Qg典型值
(nC)
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栅漏电荷
Qgd
典型值
(nC)
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输入电容
Ciss
典型值
(pF)
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上一代系列
(DTMOS IV-H)
产品
型号
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库存查询与购买
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漏源极电压
VDSS(V)
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漏极电流（直流）
ID(A)
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TK040N65Z
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TO-247
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650
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57
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0.040
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105
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27
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6250
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TK62N60X
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注：
[1] 截至2018年6月，东芝测量值（2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW）。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
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