锂电池是生活中常用电池类型之一，对于锂电池，我们自然也是十分熟悉。为增进大家对锂电池的认识，本文将对锂电池保护板予以介绍，主要内容在于讲解锂电池保护板故障判断问题。
锂电池异常原因汇总，包括锂电池容量，锂电池内阻，锂电池电压，尺寸超厚，断路等，电池之都进行了简单汇总并分享给大家。
一、电池容量低
产生原因：a. 附料量偏少;b. 极片两面附料量相差较大;c. 极片断裂;d. 电解液少;e. 电解液电导率低;f. 正极与负极配片未配好;g. 隔膜孔隙率小;h. 胶粘剂老化→附料脱落;i. 卷芯超厚(未烘干或电解液未渗透)j. 分容时未充满电;k. 正负极材料比容量小。
二、电池内阻高
产生原因：a. 负极片与极耳虚焊;b. 正极片与极耳虚焊;c. 正极耳与盖帽虚焊;d. 负极耳与壳虚焊;e. 铆钉与压板接触内阻大;f. 正极未加导电剂;g. 电解液没有锂盐;h. 电池曾经发生短路;i. 隔膜纸孔隙率小。
三、电池电压低
产生原因：
a. 副反应(电解液分解;正极有杂质;有水);b. 未化成好(SEI 膜未形成安全);c. 客户的线路板漏电(指客户加工后送回的电芯);d. 客户未按要求点焊(客户加工后的电芯);e. 毛刺;f. 微短路;g. 负极产生枝晶。
四、超厚
a. 焊缝漏气;b. 电解液分解;c. 未烘干水分;d. 盖帽密封性差;e. 壳壁太厚;f. 壳太厚;g. 卷芯太厚(附料太多;极片未压实;隔膜太厚)。
五、电池化成异常
a. 未化成好(SEI 膜不完整、致密);b. 烘烤温度过高→粘合剂老化→脱料;c. 负极比容量低;d. 正极附料多而负极附料少;e. 盖帽漏气，焊缝漏气;f. 电解液分解，电导率降低。
六、电池爆炸
a. 分容柜有故障(造成过充);b. 隔膜闭合效应差;c. 内部短路。
七、电池短路
a. 料尘;b. 装壳时装破;c. 尺刮(隔膜纸太小或未垫好);d. 卷绕不齐;e. 没包好;f. 隔膜有洞;g. 毛刺
八、电池断路
a)极耳与铆钉未焊好，或者有效焊点面积小;b)连接片断裂(连接片太短或与极片点焊时焊得太靠下)
九、无闪现、输出电压低、带不起负载
此类不良首要排除电芯不良(电芯原本无电压或电压低)，假设电芯不良则应检验保护板的自耗电，看是否是保护板自耗电过大导致电芯电压低。假设电芯电压正常，则是因为保护板整个回路不通(元器件虚焊、假焊、FUSE 不良、PCB 板内部电路不通、过孔不通、MOS、IC 损坏等)。具体分析
过程如下：
(一)、用万用表黑表笔接电芯负极，红表笔依次接 FUSE、R1 电阻两端，IC 的 Vdd、Dout、Cout 端，P+端(假定电芯电压为 3.8V)，逐段进行分析，此几个检验点都应为 3.8V。若不是，则此段电路有问题。
1、FUSE 两端电压有改动：检验 FUSE 是否导通，若导公例是 PCB 板内部电路不通;若不导公例 FUSE 有问题(来料不良、过流损坏(MOS 或 IC 操控失效)、质料有问题(在 MOS 或 IC 动作之前 FUSE 被烧坏)，然后用导线短接 FUSE，持续往后分析。
2、R1 电阻两端电压有改动：检验 R1 电阻值，若电阻值失常，则或许是虚焊，电阻自身开裂。若电阻值无失常，则或许是 IC 内部电阻出现问题。
3、IC 检验端电压有改动：Vdd 端与 R1 电阻相连。Dout、Cout 端失常，则是因为 IC 虚焊或损坏。
4、若前面电压都无改动，检验 B- 到 P+间的电压失常，则是因为保护板正极过孔不通。
(二)、万用表红表笔接电芯正极，激活 MOS 管后，黑表笔依次接 MOS 管 2、3 脚，6、7 脚，P- 端。
1.MOS 管 2、3 脚，6、7 脚电压有改动，则标明 MOS 管失常。
2. 若 MOS 管电压无改动，P- 端电压失常，则是因为保护板负极过孔不通。
十、短路无保护
1、VM 端电阻出现问题：可用万用表一表笔接 IC2 脚，一表笔接与 VM 端电阻相连的 MOS 管管脚，供认其电阻值大小。看电阻与 IC、MOS 管脚有无虚焊。
2、IC、MOS 失常：因为过放保护与过流、短路保护共用一个 MOS 管，若短路失常是因为 MOS 出现问题，则此板应无过放保护功用。
3、以上为正常情况下的不良，也或许出现 IC 与 MOS 装备不良引起的短路失常。如前期出现的 BK-901，其型号为‘312D’的 IC 内延迟时间过长，导致在 IC 作出相应动作操控之前 MOS 或其它元器件已被损坏。注：其间供认 IC 或 MOS 是否发作失常最简易、直接的方法便是对有怀疑的元器件进行替换。
十一、短路保护无自恢复
1、规划时所用 IC 原本没有自恢复功用，如 G2J，G2Z 等。
2、仪器设置短路恢复时间过短，或短路检验时未将负载移开，如用万用表电压档进行短路表笔短接后未将表笔从检验端移开(万用表相当于一个几兆的负载)。
3、P+、P- 间漏电，如焊盘之间存在带杂质的松香，带杂质的黄胶或 P+、P- 间电容被击穿，ICVdd 到 Vss 间被击穿。(阻值只有几 K 到几百 K)。
4、假设以上都没问题，或许 IC 被击穿，可检验 IC 各管脚之间阻值。
十二、内阻大
1、因为 MOS 内阻相对比较稳定，出现内阻大情况，首要怀疑的应该是 FUSE 或 PTC 这些内阻相对比较简单发作改动的元器件。
2、假设 FUSE 或 PTC 阻值正常，则视保护板结构检测 P+、P- 焊盘与元器件面之间的过孔阻值，或许过孔出现微断现象，阻值较大。
3、假设以上多没有问题，就要怀疑 MOS 是否出现失常：首要供认焊接有没有问题;其次看板的厚度(是否简单弯折)，因为弯折时或许导致管脚焊接处失常;再将 MOS 管放到显微镜下观测是否破裂;终究用万用表检验 MOS 管脚阻值，看是否被击穿。
十三、ID 失常
1、ID 电阻自身因为虚焊、开裂或因电阻质料不过关而出现失常：可从头焊接电阻两端，若重焊后 ID 正常则是电阻虚焊，若开裂则电阻会在重焊后从中裂开。
2、ID 过孔不导通：可用万用表检验过孔两端。
3、内部线路出现问题：可刮开阻焊漆看内部电路有无断开、短路现象。 |
