超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器件相比，Vishay Siliconix N沟道SiHK050N65E的导通电阻降低了48.2 %，而电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中650V MOSFET的重要优值因数（FOM）降低了65.4 %。
Vishay推出了多种MOSFET技术，为电源转换过程的所有阶段提供支持，包括从高压输入到最新高科技设备所需的低压输出。凭借SiHK050N65E和Gen 4.5 650 V E系列中的其他器件，公司正在满足电力系统架构的两个早期阶段中对改进效率和功率密度的需求，即功率因数校正（PFC）和后续的DC/DC转换器模块。典型的应用包括服务器、边缘计算和超级计算机；UPS、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器；通信开关模式电源（SMPS）；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热系统；电动驱动和电池充电器。
SiHK050N65E基于Vishay最新的高能效E系列超结技术，能够在10V下实现典型的低导通电阻为0.048 Ω，适合超过6kW的高功率应用。同时，650 V器件的击穿电压达到额外的50 V，使其可以在200 VAC至277 VAC的输入电压范围内稳定工作，并符合开放计算项目的开放机架V3（ORV3）标准。此外，MOSFET的超低栅极电荷仅为78 nC，提供了优越的FOM值3.74 W*nC，这对减少导通和开关损耗至关重要，从而进一步节省能源并提升效率。这使得器件能够满足服务器电源中特定的钛效率要求，或者达到96 %的峰值效率。
为了在硬开关拓扑（如PFC电路和双开关前馈设计）中优化开关性能，日前发布的MOSFET具备较低的有效输出电容值，Co(er)为167 pF，Co(tr)为1119 pF。器件在电阻乘以Co(er)的FOM上达到业界新低的8.0 W*pF。SiHK050N65E以PowerPAK® 10 x 12封装形式提供，并配备Kelvin连接以降低栅极噪声，同时提高dv/dt的抗扰性。MOSFET符合RoHS标准而且无卤素，经过特别设计以承受雪崩模式下的过压瞬态，100%的UIS测试保证了其极限值。
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