英诺赛科 (Innoscience) 双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比，可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET，显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统的尺寸，降低了 BOM 成本。
当前，我们正在扩展组件生态系统，通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。
INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系统更小、更高效、更低成本！
英诺赛科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化 40V 至 120V 双向 VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS 设计。
全球首款，性能卓越
-
• 超低功耗：8uA 典型静态电流，极大延长电池待机时间
-
• 高速开关：具备高速开通和关断能力，能够快速响应故障保护系统
-
• 强驱动力：能够驱动多颗VGaN™并联，满足大电流应用
-
• 广泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制逻辑
-
• 宽工作电压与高耐压：VCC提供从8V-90V的电压范围，且关键引脚耐压高
-
• 标准封装：标准SOP-8封装，方便使用和贴装
革命性替代，颠覆传统BMS
英诺赛科 100V 低边驱动芯片 INS1011SD 专为驱动 VGaN™而生，二者结合完美替代传统两颗或多颗背靠背SiMOS及其驱动方案，带来小型化、轻量化、降成本的系统优势。
-
• 减小系统尺寸和重量：VGaN™体积小，能够以一替二，简化驱动电路；
-
• 降低系统成本：减小器件数量，如MOSFET、相关驱动及PCB占板面积；
-
• 提升效率： VGaN™导通电阻Rds(on)更低，开关损耗更小；
-
• 简单易用：INS1011SD兼容现有主流AFE/MCU控制逻辑，方便工程师集成到现有BMS设计中
多领域赋能，提升应用价值
高性能 INS1011SD+双向 VGaN™，可广泛应用于电池管理系统（BMS）低边保护、储能电池包、电动交通电池保护、不间断电源和蓄电池保护以及电动工具等电池供电设备保护等，实现更小、更轻、更省、更高效的优势！
至此，英诺赛科完成了从单一VGaN™系列到“ VGaN™+专用驱动”的完整解决方案的迈进，推动氮化镓技术实现更广泛、更便捷的应用，构建完善生态。 |
