据路透社10月14日报道，两名知情人士透露，韩国存储芯片大厂SK海力士正寻求美国华盛顿政府批准向中国大陆出口美国芯片制造设备，以提高其在华产量，并将以此作为在美国建设新工厂的条件。

在全球存储芯片持续短缺、涨价的背景下，SK海力士的美国子公司Solidigm希望利用SK海力士中国大连工厂的闲置空间安装新设备，生产NAND Flash芯片，以应对人工智能和云计算数据中心的固态硬盘。

与此同时，美国特朗普政府也正在敦促SK海力士、三星电子及其他外国芯片制造商在美国建厂，以重建美国制造业产能并创造就业机会，并强化美国的半导体供应链。

因为，SK海力士希望获得美国的出口许可证以保障其大连NAND工厂扩产所需的设备，并将其在美国新建NAND工厂的计划与该许可证进行挂钩。简单来说，SK海力士希望以大连NAND工厂扩产获得美国设备供应来作为赴美建厂的条件。目前，SK海力士大连NAND工厂主要使用的是泛林集团、应用材料和科磊等美国主要半导体设备制造商的设备。

2025年，美国商务部撤销了授予海力士和三星的无限期授权，该授权曾豁免他们的中国工厂采购美国设备需申请许可证的要求。虽然，美国商务部之后向他们发放了2026年度的出口许可证，以允许这些公司维持在华现有工厂运营，但不预期批准用于扩大产能或升级技术的设备出口。

一位知情人士表示，美国商务部尚未发放2027年度更多美国设备和技术的许可证。该人士称，Solidigm已为大连NAND工厂向美国提交了出口许可证申请，主要为Mod B采购额外设备。

一位消息人士称，大连工厂内有一处名为Mod B的厂房空间，于2023年建成。由于当时存储市场低迷，设备安装未能完成。两位消息人士称，Mod B已有部分芯片制造工具，但还有很大空间可容纳更多设备。

韩国媒体Sedaily今年8月也曾报道称，SK海力士已重启其子公司Solidigm位于中国大连的NAND Flash生产基地二厂（即上文提及的Mod B）的建设，此举将使其当地产能提升约50%。

SK海力士在给路透社的声明中表示：“Mod B的设备安装正在与美国政府密切协商并获得授权的情况下进行。”该公司称：“大连Mod B于2023年完工，目前并未寻求扩大该区域的产能。”Solidigm则拒绝就此置评。

据路透社上个月报道，Solidigm正考虑在美国建设NAND工厂。一位知情人士称，扩大在华产量将帮助Solidigm为美国NAND工厂提供资金，并成为向美国本土增产过渡的桥梁。

值得一提的是，SK海力士还正与英特尔洽谈租用其筹划已久的俄亥俄州芯片制造设施的部分空间。